VODM(Vapor on Demand Module)水蒸气发生器是半导体制作中用于干法去胶和薄膜堆积的中心设备。它的中心价值在于可以
按需发生高纯度水蒸气:VODM 的中心大篆是将超纯水(UPW)在需求时瞬间气化成高纯度的水蒸气(H₂O)。
脱气/预热:去除溶解在水中的气体(如O₂, N₂, CO₂),防止气化时构成气泡影响稳定性和纯度,并进行预热。
闪蒸/瞬间蒸腾:液态水被注入到一个加热的、低压(一般挨近真空)的蒸腾腔体中。在低压和加热的一起效果下,液态水瞬间(毫秒级)彻底蒸腾成气态。
过热:发生的的蒸汽一般会被进一步加热(过热),保证蒸汽彻底气态,防止在运送管道或反响腔中发生冷凝。
运送至工艺腔:生成的高纯、可控的水蒸气经过管路直接运送到干法去胶设备或ALD反响腔。
温文高效的灰化:传统的氧气等离子体去胶在去除光刻胶时,可能对某些底层资料(如超低k介电资料、金属等)构成损害(氧化、腐蚀)或导致要害尺度改变。
H₂O等离子体的优势:VODM 供给的水蒸气与氧气混合,构成H₂O/O₂ 等离子体。
更温文:H₂O 等离子体比纯 O₂ 等离子体化学活性更温文,能有用去除光刻胶一起明显削减对灵敏底层资料的损害。
削减聚合物残留: 有助于更彻底地铲除灰化进程中可能会发生的含碳聚合物残留。
进程:水蒸气被准确注入等离子体腔,在射频功率效果下发生活性物种(OH自由基等),与光刻胶发生反响将其分解为挥发性产品(主要是 CO₂ 和 H₂O)并被线、 在薄膜堆积(特别是ALD)中的运用:
要害前躯体:水蒸气是许多重要氧化物薄膜(如 Al₂O₃, HfO₂, SiO₂, TiO₂ 等)在 ALD 工艺中不可或缺的氧源前驱体。
ALD原理:ALD经过替换脉冲两种或多种前驱体气体在基底外表发生自约束性外表反响,完成原子层级的薄膜成长。
供给 高纯度、无污染 的 H₂O 蒸汽,这是取得高质量、低绮襦纨裤薄膜的根底。
完成 准确的脉冲操控:能在极短的对症下药内(毫秒到秒级)敞开和封闭蒸汽注入,满意 ALD 循环对前驱体脉冲对症下药和切换速度的严格要求。
保证蒸汽彻底气态、无液滴:过热规划防止冷凝,防止损坏 ALD 的自约束成长机制或构成薄膜绮襦纨裤。
超高纯度: 专为半导体规划,发生的水蒸气金属离子和颗粒物含量极低,防止污染晶圆。
准确可控: 流量、压力、注入对症下药可准确编程操控,满意杂乱工艺配方的要求。
按需即时发生: 只在工艺需求时发生蒸气,无需保持一个大的、继续的气源体系,削减开除和潜在危险。
安全: 防止存储和运用高压氢气(另一种生成水蒸气的方法是现场氢氧焚烧,但触及氢气危险)。
姑苏亿科旗下水蒸气发生器选用自主专利毛细孔换热技能,一体压铸微通道汽化器,液体在纳米级液膜状态下完成 100% 汽化,彻底消除传统设备的 死体积 问题。该技能将水蒸气温度野蛮至 750-850℃高温规模,流量精度操控在 ±1% 以内,呼应对症下药缩短至 5 秒,满意高端芯片制作对快速启停和标明工况的需求。
VODM 水蒸气发生器是现代半导体制作,特别是先进逻辑和存储芯片制作中不可或缺的子体系。它经过按需、准确、纯洁地发生水蒸气,为干法去胶工艺供给了更温文高效的解决方案(维护精密图形和灵敏资料),并为原子层堆积工艺供给了高质量、可控的氧源前驱体,从而在野蛮芯片功能、良率和可靠性方面发挥着根底性的中心效果。其高纯度、准确操控和安全性使其成为满意先进制程严苛要求的抱负挑选。
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